各向异性磁阻效应（AMR）：指某些材料（常见于铁磁金属）在外加磁场或磁化方向改变时，电阻会随电流方向与磁化方向之间的夹角而变化的一种现象，常用于磁传感与自旋电子器件中。（该术语也可泛指“各向异性磁阻”这一类效应。）
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Anisotropic magnetoresistance is widely used in magnetic field sensors.
各向异性磁阻效应广泛用于磁场传感器中。
In a ferromagnetic thin film, anisotropic magnetoresistance varies with the angle between the current and the magnetization, helping researchers track how domains rotate.
在铁磁薄膜中，各向异性磁阻效应会随电流方向与磁化方向的夹角而变化，从而帮助研究人员追踪磁畴如何发生旋转。
该短语由三部分构成：anisotropic（各向异性的）来自希腊语构词：*an-*（不、非）+ iso（相同）+ tropos（转向、方式），字面意思是“不是各都一样”；magneto-（磁的）与希腊语中“磁石”相关；resistance（电阻）源自拉丁语 resistere（抵抗、反抗）。合在一起即“电阻对磁化方向呈现方向性变化的现象”。
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