MRAM

释义 Definition

MRAM（磁阻式随机存取存储器）是一种非易失性存储技术：即使断电也能保存数据，读写速度接近RAM，同时通常比传统闪存更耐写入。

发音 Pronunciation (IPA)

/m r em/

例句 Examples

MRAM can keep data even when the power is off.
MRAM 即使在断电时也能保存数据。

As embedded systems demand faster boot times and higher endurance, some designers consider MRAM as a replacement for flash in certain applications.
随着嵌入式系统需要更快的启动时间和更高的耐久性，一些设计者会考虑在特定应用中用 MRAM 替代闪存。

词源 Etymology

MRAM 是英语缩略词（initialism），来自 Magnetoresistive Random Access Memory，直译为“磁阻式随机存取存储器”。它利用磁性材料的电阻随磁化方向变化的特性来存储比特信息，因此属于“非易失性”存储的一种。

文学与著作 Notable Works

Computer Organization and Design（Patterson & Hennessy）中在存储层次与新型存储技术讨论中常提及 MRAM 等非易失性存储方案。
CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems Perspective（Weste & Harris）在工艺与存储器相关章节/延伸阅读中常会提到新型存储（可能包括 MRAM）。
IEEE 期刊与会议论文中（如 IEEE Journal of Solid-State Circuits、IEDM、ISSCC）MRAM 是常见主题词，广泛用于介绍其器件原理、写入机制与应用场景。