紧束缚（模型）：凝聚态物理与固体电子结构中常用的一种近似方法，假设电子主要局域在原子/晶格点附近，并通过与邻近原子轨道的“跳跃”(hopping) 产生能带；常用于描述晶体中的能带结构、电子运动与相关材料性质。（也常作 tight-binding model / tight-binding approximation）
/tat band/
The tight-binding model is a simple way to estimate a band structure.
紧束缚模型是一种估算能带结构的简单方法。
Using a nearest-neighbor tight-binding Hamiltonian, we can fit the π-band dispersion of graphene with a single hopping parameter.
使用最近邻紧束缚哈密顿量，我们可以用一个跳跃参数拟合石墨烯的 π 能带色散关系。
tight 意为“紧的、强的”，强调电子波函数在原子附近强烈局域；binding 意为“束缚、结合”，指电子受原子势束缚。该术语在早期固体能带理论发展中用来对比 nearly-free electron（近自由电子）图景：前者从“原子轨道强束缚”出发，后者从“电子近似自由传播”出发。
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