中國晶片大廠長鑫存儲料明年首季上海上市、估值達1.3兆台幣

陳家齊

2025年10月21日週二下午4:06

在美中貿易戰不斷掀起波瀾之際，可能會遭美國財政部制裁的中國記憶體晶片大廠長鑫存儲（CXMT），據路透社獨家報導將在明年第一季於上海股票上市，估計公司市值將達3000億人民幣（近1.3兆台幣、420億美元）。

美國川普政府上台後，長鑫存儲可能被美國財政部列入實體清單、進行制裁的說法不絕於耳，目前並不知道美中尋求貿易戰停火之際，美方是否會祭出這樣的制裁。

路透社週二（21日）報導，兩名知情人士透露，長鑫存儲計畫最快在明年第一季於上海進行首次公開募股（IPO），市值目標上看3000億人民幣。

2016年成立的北京戰略級投資

長鑫存儲成立於 2016 年，獲得北京政府支持，是中國在長期由日本、韓國和美國公司主導的全球DRAM（動態隨機存取記憶體）市場中，打下立足點的戰略核心。

兩位消息人士表示，這家中國最大的DRAM製造商目標透過本次股票發行籌集200億至400億人民幣的資金。第三位消息人士則指出，長鑫存儲目標籌集約300億人民幣，並可能最快在下個月（11月）就向投資人公布招股說明書。

這些因計畫尚未公開而要求匿名的消息人士提醒，這些細節都可能仍然根據市場需求而有所變動。

長鑫存儲計畫IPO之際，中國半導體類股正大幅上漲，基準的CSI CN半導體指數今年以來已飆升約 49%。長鑫存儲的母公司已於7月啟動了IPO的「輔導期」準備工作，並聘請了國有的投資銀行中國國際金融股份有限公司和中信建投證券。不過，當時的揭露資訊並未說明該公司將在何處及何時上市。

其中兩位消息人士表示，他們預計長鑫存儲的 IPO 將吸引國內投資人的強烈需求，這些投資人希望加入中國追求晶片自給自足的投資熱潮。

長鑫存儲正投入鉅資以追趕市場領導者，如南韓的SK海力士（SK Hynix）和三星（Samsung），特別是在高頻寬記憶體（HBM）方面。HBM是一種特殊的DRAM，對於開發先進的處理器至關重要，例如可用於生成式AI工作的輝達（Nvidia）圖形處理器（GPU）。

長鑫存儲是中國解決HBM晶片受限的關鍵

美國於去年12月限制中國取得HBM晶片，以阻礙中國AI發展之後，長鑫存儲的HBM進展對中國來說變得更加關鍵。

長鑫存儲選擇在此時進行股票發行，正值全球記憶體市場發生重大轉變。路透社上週報導，美國記憶體製造商美光科技（Micron）計畫在中國禁止關鍵基礎設施使用美光晶片兩年後，退出中國伺服器晶片業務。

全球對生產AI晶片的熱潮，正使得用於智慧手機、電腦和伺服器記憶體晶片的供應緊縮，這給了這些晶片製造商一劑意外的助推。

加拿大研究公司TechInsights估計，在2023年和2024 年，長鑫存儲的資本支出約為60億至70億美元，如果美國不再實施進一步限制，預計 2025年將增加 5%。

該公司已正在上海商業中心建設一座 HBM 後端封裝廠，目標是在明年底前投產。

第三位和第四位知情人士透露，HBM晶圓的初始月產能將約為3萬片，略低於SK海力士產能的五分之一。其中兩位消息人士表示，長鑫存儲的目標是在2026年開始量產第四代高頻寬記憶體，即HBM3晶片。

SK海力士在9月表示，他們已完成HBM4晶片的內部認證流程，並計畫在今年底前完成量產準備。

TechInsights資深分析師崔震東（音譯）表示：「如果長鑫存儲能在2026年第四季取得成功，他們將使用G4製程（16 奈米）生產HBM3，這仍落後 SK 海力士四年。」

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