別急著下車？ 記憶體面臨結構性斷層 專家：缺口最兇的是「它」

隨著AI需求暴衝，記憶體供需局勢正迎來史無前例的「結構性斷層」。前台積電工程師、具18年操盤經驗的基金經理人沈萬鈞在《萬鈞法人視野》粉專分析指出，近期拜訪美光（Micron）員工與台灣記憶體模組廠後發現，市場對AI伺服器爆量帶動的記憶體需求，遠遠低估。Google明年向美光提出的訂單量甚至高到「吃掉從HBM到DDR4」的所有產出預期，規模誇張程度連業界都始料未及。

沈萬鈞指出，外界普遍認為DDR4是落後產品、供過於求的代表，但AI時代完全改寫存儲架構。隨著伺服器全面從HDD（傳統硬碟）轉向SSD（固態硬碟），SSD控制器必須搭配一顆DDR4作為快取。因此每一台AI伺服器出貨，都會新增一筆DDR4需求，這部分「被低估的增量」尚未反映在價格與市場模型中。

同時，市場最恐慌的「中國低價記憶體回流」其實已被現況推翻。沈萬鈞表示，大陸DDR4產線明年僅剩過去能運作的少量產能，現貨市場早已被掃光，根本不存在「供給回流」的情況。從全球有效晶圓（wafer）投片量來看，供給正在下降，但需求卻被AI重新定義，供需緊縮已是鐵一般的事實。

沈萬鈞強調，市場常以報價端思維預測「何時供過於求」，但若站在產線端，答案完全不同。他指出，半導體擴產受物理極限限制，建一座新的無塵室（cleanroom）需3年，即使購入現成廠房裝機也需1年半，「不是砸更多資本支出（CAPEX）就能解決」。

因此原廠能做的是「轉產」──將舊製程1Z、1Y、1X轉往1A、1B、1C。但每次製程升級，都意味著舊產能被大量刪除。供給層面看似是技術進步，實際上是有效晶圓不斷消失。例如外界猜測的「海力士要擴產16萬片」屬誤讀，真正產能不及傳聞，而轉產本身就會吃掉4至6萬片舊製程產能。沈萬鈞直言：「一旦你理解這件事，你就會知道為什麼2026年會是扎扎實實的賣方年，因為沒有人真正把新的晶圓推進市場。」

然而，真正被低估的並非DRAM，而是NAND。沈萬鈞指出，目前NAND獲利性最差，三大原廠去年還在減產、全力投入DDR與HBM，造成NAND成為最被忽視的角落。但AI伺服器中成長最快、最容易爆量的正是storage（儲存），且NAND的資本支出多年遭排擠，供給短缺將比HBM更兇、更長、更痛。

綜合第一線資訊，沈萬鈞認為，市場面臨的不是單一產品缺貨，而是DRAM、HBM、NAND三大品項同步陷入結構性斷層。Google明年大單只是起點，Meta、亞馬遜（Amazon）、微軟（Microsoft）等科技巨頭也在排隊。至於storage、DDR4、標準型DRAM的需求增量，市場更是尚未反映。

沈萬鈞總結，下一輪勝負不是由新聞或市場情緒決定，而是由半導體產線端的物理現實決定。「這輪供需錯配，還有很長一段路要走。」

（封面圖/翻攝Pexels）

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