華邦電：DRAM缺貨到2027 記憶體面臨結構性變革

華邦電（2344）昨（5）日舉行法說會，總經理陳沛銘表示，記憶體產業正經歷一場結構性且重大的變革，預期這波DDR5和DDR4或DDR3缺貨潮，到2027年都不會改變。

他說，隨著市況火熱，華邦電本季DRAM營收、出貨與產品均價都將明顯成長，客戶需求穩定，而且非常熱絡上門談長約，明年也將是健康成長的一年。

至於這場「記憶體產業結構性且重大的變革」，起源於DRAM技術標準與先進製程的衝突。過去傳統DDR3和DDR4標準制定時，並未要求內建ECC（糾錯碼）功能，然而，當全球前三大DRAM供應商將製程推進到14奈米、13奈米甚至更精密的製程時，極小的位元單元容易產生壞軌（bad bits），必須依靠ECC來補償。

陳沛銘說明，由於JEDEC標準不支援DDR3／DDR4在這些先進製程上使用ECC，使得三星、SK海力士、美光等三大記憶體供應商的新工廠和先進製程無法再回頭生產DDR3或DDR4，而為滿足AI時代對高頻寬記憶體（HBM）強勁需求並充分利用新製程，三大原廠被迫轉向生產支援ECC的DDR5，導致DDR4供應出現結構性缺口。他強調，一旦國際大廠製程推進至DDR5，就不可能回去生產DDR4或DDR3產品，從供需結構來看，DDR5和DDR4或DDR3缺貨潮 ，恐怕到2027年都不會改變。

記憶體市況火熱，華邦電營運同步強勁，日前公布第3季稅後純益29.44億元，每股純益0.65元，終結連四季虧損，並一舉弭平上半年虧損，帶動前三季繳出獲利成績單，稅後純益達5.4億元，年減56.7%，每股純益0.12元。

至於Flash業務，陳沛銘直言，原預期第2季客戶因應關稅提前拉貨後，第3季需求會放緩，惟實際上需求並未下滑，華邦電第3季Flash營收仍季增4.2%，主要反映報價上漲4%至6%，以及後段產能瓶頸逐步解開。

陳沛銘透露，現階段旗下Flash成品與經銷商庫存都已清空，仍難完全滿足客戶需求，正加快後段測試產能擴充。

製程推進方面，20奈米已成為主要成長動能，出貨量占總交貨量37%。20奈米產品線中，DDR4表現尤其亮眼，上季出貨量季增一倍，本季占比將持續提高。20奈米是華邦首度跨入DDR4領域的製程。

華邦電昨天開盤一度遭摜殺至逼近跌停價，隨後低接買盤湧入，終場逆勢大漲5.06%收56元、漲2.7元，單日震幅高達15%。

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