中國記憶體成功突圍？傳長鑫存儲向華為出貨HBM3樣品

商傳媒｜記者責任編輯／綜合外電報導

中國半導體產業傳出突圍訊號，根據《DigiTimes》報導，中國最大記憶體製造商長鑫存儲（CXMT）已成功向中國科技巨頭華為提供HBM3高頻寬記憶體樣品，代表中國在AI晶片核心瓶頸、也就是在高頻寬記憶體（HBM）領域有望出現實質進展，並為後續大規模量產鋪路。

科技媒體《Wccftech》報導分析，過去數年，中國在高階HBM供應鏈面臨嚴重瓶頸，導致華為、寒武紀等中國AI晶片廠難以擴大算力布局；加上美國對先進記憶體與製程設備實施出口限制，中國長期仰賴管制實施前的庫存貨源。如今，長鑫成功研發並交付HBM3樣品，被視為中國記憶體產業「自主化」的重要里程碑。

分析師指出，長鑫在技術上仍落後全球領先的韓廠SK海力士（SK hynix）與三星（Samsung）至少三至四年，但其進度代表中國在DRAM與AI算力領域取得結構性突破，對國際記憶體市場格局恐產生潛在衝擊。

報導提及，長鑫目前在中國合肥等地的DRAM月產能已穩步提升，預估今年可達23萬至28萬片晶圓，為量產HBM奠定關鍵基礎；除HBM外，該公司也已啟動DDR5模組量產，良率達八成，進一步鞏固其在消費型記憶體市場的地位。

長鑫預計將於2026年第一季啟動IPO（首次公開募股），藉此籌措資金擴充HBM與高階DRAM產能。據悉，公司計畫於2027年量產HBM3E，屆時全球HBM主流將邁入HBM4世代，顯示中國力拚追趕的決心。

業界預估，隨AI伺服器需求爆發，全球HBM價格2025年可能上漲逾10%，而中國若能實現在地供應，將有助降低對韓、美、日等國的技術依賴，亦符合中國政府「半導體自主可控」戰略。

專家認為，雖然中國HBM技術仍受限於製程精度與堆疊封裝能力，但長鑫傳言進度如屬實，象徵中國AI產業鏈正逐步擺脫「缺芯」困境；未來若能與華為、寒武紀等AI晶片廠形成垂直整合，將有望重返全球高階記憶體競爭版圖。